下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

載流子的擴(kuò)散運(yùn)動產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動產(chǎn)生（）電流。

下列是晶體的是（）。