那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

PN結的基本特性是（）

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）