在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中，當溫度升高時，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

改良西門子法的顯著特點不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。  

PN結(jié)的基本特性是（）