下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構。

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）