PN結(jié)的基本特性是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）