多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

下列是晶體的是（）。 

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

改良西門子法的顯著特點不包括（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。