填空題冷變形金屬在加熱時隨加熱溫度的升高,其組織和性能的變化分為三個階段,即(),(),()。
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
題型:單項(xiàng)選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
題型:單項(xiàng)選擇題
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
題型:單項(xiàng)選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型:單項(xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
題型:單項(xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是()
題型:單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
題型:單項(xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:單項(xiàng)選擇題
硅片拋光在原理上不可分為()
題型:單項(xiàng)選擇題