下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

下列是晶體的是（）。 

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

改良西門子法的顯著特點不包括（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。