把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

PN結(jié)的基本特性是（）