鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產生（）.使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

PN結的基本特性是（）

下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）