下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

對于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）