直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

下列哪一個遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導體具有（）半導體的導電特性。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）