硅片拋光在原理上不可分為（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

PN結(jié)的基本特性是（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）