與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構。

改良西門子法的顯著特點不包括（）

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

硅片拋光在原理上不可分為（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）