用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

PN結(jié)的基本特性是（）

可用作硅片的研磨材料是（）

直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段？（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

硅片拋光在原理上不可分為（）

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）