A、使用位移控制方式
B、雙向張拉
C、超張拉回松技術(shù)
D、內(nèi)固定端使用回縮量小的錨具
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A、使預(yù)應(yīng)力筋與結(jié)構(gòu)混凝土結(jié)為一體
B、提高構(gòu)件的剛度
C、限定預(yù)應(yīng)力筋的位置
D、防止預(yù)應(yīng)力筋的腐蝕
A、錨具變形
B、夾片位移
C、混凝土收縮
D、預(yù)應(yīng)力筋回縮
A、達到95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/600
B、達到90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/500
C、達到120%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
D、達到110%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
A、鐓頭式
B、夾片式
C、壓花式
D、螺母式
A、有防止腐蝕和機械損傷的措施
B、凸出式錨具的保護層厚度不小于50mm
C、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護層厚度在正常環(huán)境中不小于20mm
D、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于30mm
最新試題
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是()。
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
下列是晶體的是()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
下列哪個不是單晶常用的晶向()
改良西門子法的顯著特點不包括()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()