A、有防止腐蝕和機(jī)械損傷的措施
B、凸出式錨具的保護(hù)層厚度不小于50mm
C、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在正常環(huán)境中不小于20mm
D、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于30mm
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A、可以用焊割方式截?cái)?br />
B、需要有防腐蝕措施
C、長(zhǎng)度不宜小于預(yù)應(yīng)力筋直徑的5倍
D、不宜小于30mm
A、HRA
B、HRB
C、HBW
D、RBH
A、不同的錨具一般需不同類型的千斤頂
B、有些錨具可以不用千斤頂
C、靜載實(shí)驗(yàn)?zāi)芡耆从冲^具性能
D、錨具外露端應(yīng)有防護(hù)措施
A、實(shí)驗(yàn)應(yīng)在1小時(shí)內(nèi)做完
B、試驗(yàn)段長(zhǎng)度應(yīng)為2米
C、實(shí)驗(yàn)前應(yīng)做硬度試驗(yàn)
D、最終的總應(yīng)變?cè)叫≡胶?/p>
A、錨頭端預(yù)應(yīng)力筋斷裂
B、滑絲
C、內(nèi)縮值偏大
D、夾片斷裂
最新試題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
可用作硅片的研磨材料是()
硅片拋光在原理上不可分為()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
下列是晶體的是()。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
PN結(jié)的基本特性是()