A、錨具變形
B、夾片位移
C、混凝土收縮
D、預(yù)應(yīng)力筋回縮
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A、達(dá)到95%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/600
B、達(dá)到90%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,中心殘余撓度小于墊板尺寸的1/500
C、達(dá)到120%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
D、達(dá)到110%預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度后,不得出現(xiàn)裂紋或破壞
A、鐓頭式
B、夾片式
C、壓花式
D、螺母式
A、有防止腐蝕和機(jī)械損傷的措施
B、凸出式錨具的保護(hù)層厚度不小于50mm
C、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在正常環(huán)境中不小于20mm
D、外露預(yù)應(yīng)力筋的保護(hù)層厚度在腐蝕環(huán)境中不小于30mm
A、可以用焊割方式截?cái)?br />
B、需要有防腐蝕措施
C、長度不宜小于預(yù)應(yīng)力筋直徑的5倍
D、不宜小于30mm
A、HRA
B、HRB
C、HBW
D、RBH
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?,?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()