A、內(nèi)縮量測(cè)量分為直接測(cè)量方式和間接測(cè)量方式
B、試驗(yàn)應(yīng)力為0.8倍預(yù)應(yīng)力筋抗拉強(qiáng)度
C、可以通過(guò)測(cè)量預(yù)應(yīng)力筋錨固過(guò)程中的應(yīng)力變化得到
D、靜載實(shí)驗(yàn)用的裝置一般不合適用于內(nèi)縮量試驗(yàn)
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A、總應(yīng)變測(cè)量若采用量具標(biāo)距的方式，標(biāo)距長(zhǎng)度不應(yīng)小于1m
B、若采用測(cè)量加荷端油缸的位移方式，應(yīng)該考慮實(shí)驗(yàn)儀器的彈性應(yīng)變
C、若采用測(cè)量加荷端油缸的位移方式，總長(zhǎng)度應(yīng)為兩個(gè)夾片起夾點(diǎn)之間的距離
D、若采用測(cè)量加荷端油缸的位移方式，應(yīng)該考慮固定端的內(nèi)縮值
A.高分子防水卷材
B.無(wú)膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
A.上表面五個(gè)試件均無(wú)裂縫，下表面試件五個(gè)均無(wú)裂縫
B.上表面五個(gè)試件有兩個(gè)有裂縫，下表面五個(gè)試件均無(wú)裂縫
C.上表面五個(gè)試件有一個(gè)有裂縫，下表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫
D.上表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫，下表面五個(gè)試件有兩個(gè)試件有裂縫
A.聚酯氈
B.無(wú)膜雙面自粘
C.玻纖氈
D.玻纖增強(qiáng)聚酯氈
最新試題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
硅片拋光在原理上不可分為（）
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級(jí)位置在（）附近，常見(jiàn)的是少子陷阱。
可用作硅片的研磨材料是（）
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）