A、總應(yīng)變測量若采用量具標距的方式,標距長度不應(yīng)小于1m
B、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮實驗儀器的彈性應(yīng)變
C、若采用測量加荷端油缸的位移方式,總長度應(yīng)為兩個夾片起夾點之間的距離
D、若采用測量加荷端油缸的位移方式,應(yīng)該考慮固定端的內(nèi)縮值
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A.高分子防水卷材
B.無膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
A.上表面五個試件均無裂縫,下表面試件五個均無裂縫
B.上表面五個試件有兩個有裂縫,下表面五個試件均無裂縫
C.上表面五個試件有一個有裂縫,下表面五個試件有一個試件有裂縫
D.上表面五個試件有一個試件有裂縫,下表面五個試件有兩個試件有裂縫
A.聚酯氈
B.無膜雙面自粘
C.玻纖氈
D.玻纖增強聚酯氈
A.實驗的矩形試件尺寸為(150±1)mm×(25±1mm)
B.試件裁取時應(yīng)距卷材邊緣不少于100mm
C.應(yīng)同時標記卷材的上表面和下表面
D.試件從試樣寬度方向向上均勻的裁取,長邊在卷材的縱向
最新試題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個深雜質(zhì)能級位于禁帶中央,則它對電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
對于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù),它與()。
PN結(jié)的基本特性是()
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測器。
下列是晶體的是()。
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()