A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
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A.上表面五個試件均無裂縫,下表面試件五個均無裂縫
B.上表面五個試件有兩個有裂縫,下表面五個試件均無裂縫
C.上表面五個試件有一個有裂縫,下表面五個試件有一個試件有裂縫
D.上表面五個試件有一個試件有裂縫,下表面五個試件有兩個試件有裂縫
A.聚酯氈
B.無膜雙面自粘
C.玻纖氈
D.玻纖增強(qiáng)聚酯氈
A.實驗的矩形試件尺寸為(150±1)mm×(25±1mm)
B.試件裁取時應(yīng)距卷材邊緣不少于100mm
C.應(yīng)同時標(biāo)記卷材的上表面和下表面
D.試件從試樣寬度方向向上均勻的裁取,長邊在卷材的縱向
A.SBSPYⅠ3.0mm
B.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PYⅠ2.0mm
C.濕鋪防水卷材PⅠ1.5mm
D.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PETⅠ1.5mm
A.SBSG,Ⅰ,3.0mm
B.APPPY,Ⅰ,4.0mm
C.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PET,Ⅱ,1.5mm
D.濕鋪防水卷材P,Ⅰ,1.5mm
最新試題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
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對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
可用作硅片的研磨材料是()