A.高分子防水卷材
B.無膜雙面自粘
C.聚酯膜
D.瀝青基聚酯胎防水卷材
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你可能感興趣的試題
A.1.2mm
B.3.0mm
C.2.0mm
D.4.0mm
A.上表面五個(gè)試件均無裂縫,下表面試件五個(gè)均無裂縫
B.上表面五個(gè)試件有兩個(gè)有裂縫,下表面五個(gè)試件均無裂縫
C.上表面五個(gè)試件有一個(gè)有裂縫,下表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫
D.上表面五個(gè)試件有一個(gè)試件有裂縫,下表面五個(gè)試件有兩個(gè)試件有裂縫
A.聚酯氈
B.無膜雙面自粘
C.玻纖氈
D.玻纖增強(qiáng)聚酯氈
A.實(shí)驗(yàn)的矩形試件尺寸為(150±1)mm×(25±1mm)
B.試件裁取時(shí)應(yīng)距卷材邊緣不少于100mm
C.應(yīng)同時(shí)標(biāo)記卷材的上表面和下表面
D.試件從試樣寬度方向向上均勻的裁取,長邊在卷材的縱向
A.SBSPYⅠ3.0mm
B.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PYⅠ2.0mm
C.濕鋪防水卷材PⅠ1.5mm
D.自粘聚合物改性瀝青防水卷材PETⅠ1.5mm
最新試題
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢(shì)的現(xiàn)象稱()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重?fù)焦鑿U料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
下列是晶體的是()。