A.2.0mm
B.3.0mm
C.4.0mm
D.1.5mm
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A.拉伸性能尺寸(縱向×橫向)100×25(mm),縱橫各5個(gè)
B.耐熱性(縱向×橫向)100×50(mm),3個(gè)
C.低溫柔性(縱向×橫向)150×25(mm),10個(gè)
D.不透水性150×150mm,3個(gè)
A.最大拉力單位為N/50mm,對(duì)應(yīng)的延伸率用百分比表示
B.分別記錄每個(gè)方向5個(gè)試件的拉力值和延伸率,計(jì)算平均值
C.拉力的平均值修約到5N,延伸率修約到1%
D.拉力的平均值修約到1N,延伸率修約到0.1%
A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
A.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
B.3mm、4mm厚度卷材彎曲直徑為30mm,5mm厚度卷材彎曲直徑為50mm
C.3mm厚度卷材彎曲直徑為30mm,4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為50mm
D.3mm、4mm、5mm厚度卷材彎曲直徑均為30mm
A、拉伸試樣尺寸為200mm×25mm
B、夾持距離為120mm
C、拉伸速率為(100±10)mm/min
D、拉伸速率為(250±50)mm/min
最新試題
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
下列是晶體的是()。
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合,非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù),它與()。
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流,漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生()電流。
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;