A、砼強(qiáng)度達(dá)到設(shè)計(jì)強(qiáng)度等級(jí)的50%時(shí),方可撤除養(yǎng)護(hù)措施
B、砼受凍前的強(qiáng)度不得低于5MPa
C、日均氣溫低于5℃時(shí),不得采用澆水自然養(yǎng)護(hù)
D、模板和保溫層應(yīng)在砼冷卻到5℃方可拆除
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A、表面與外界溫差不宜大于20℃
B、養(yǎng)護(hù)過程應(yīng)進(jìn)行溫度控制
C、砼內(nèi)部和表面溫差不宜大于25℃
D、大體積砼養(yǎng)護(hù)應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個(gè)養(yǎng)護(hù)階段
A、當(dāng)表面與外界溫差不大于20℃時(shí),構(gòu)件方可出池或撤除養(yǎng)護(hù)措施
B、降溫速度不宜超過20℃/h
C、靜停時(shí)間不宜少于24h
D、采用蒸汽養(yǎng)護(hù)時(shí),應(yīng)分為靜停、升溫、恒溫和降溫四個(gè)養(yǎng)護(hù)階段
A、帶模蓄熱養(yǎng)護(hù)
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護(hù)
C、養(yǎng)護(hù)坑濕熱養(yǎng)護(hù)
D、蒸壓釜蒸熱養(yǎng)護(hù)
A、澆水濕潤養(yǎng)護(hù)
B、隧道窯蒸熱養(yǎng)護(hù)
C、冬季蓄熱養(yǎng)護(hù)
D、噴涂養(yǎng)護(hù)劑養(yǎng)護(hù)
A、拆模試件
B、張拉試件
C、合格評(píng)定試件
D、吊裝試件
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
下列是晶體的是()。
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量()
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
PN結(jié)的基本特性是()