A.34mm
B.63mm
C.45mm
D.以上都不對(duì)
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、27mm
B、21mm
C、38mm
D、以上都不對(duì)
A、5.6°
B、3.5°
C、6.8°
D、24.6°
A、2.5MHZ
B、5MHZ
C、4MHZ
D、2MHZ
A.頻率增加,晶片直徑減小而減小
B.頻率或晶片直徑減小而增大
C.頻率或晶片直徑減小而減小
D.頻率增加,晶片直徑減小而增大
A、橫波衰減比縱波嚴(yán)重
B、衰減系數(shù)一般隨材料的溫度上升而增大
C、當(dāng)晶粒度大于波長(zhǎng)1/10時(shí)對(duì)探傷有顯著影響
D、提高增益可完全克服衰減對(duì)探傷的影響
最新試題
探頭延檢測(cè)面水平移動(dòng),超聲檢測(cè)系統(tǒng)區(qū)分兩個(gè)相鄰缺陷的能量稱為()。
底波計(jì)算法是利用()與平底孔反射回波相差的分貝(dB)值進(jìn)行靈敏度校準(zhǔn)。
單探頭法容易檢出()。
超聲波儀時(shí)基線的水平刻度與實(shí)際聲程成正比的程度,即()。
()主要用于表面光滑工件的表面和近表面缺陷檢測(cè)。
在對(duì)缺陷進(jìn)行定量前,必須先調(diào)節(jié)()。
調(diào)節(jié)時(shí)基線時(shí),應(yīng)使()同時(shí)對(duì)準(zhǔn)相應(yīng)的聲程位置。
()可以檢測(cè)出與探測(cè)面相垂直的面狀缺陷。
關(guān)于液浸法的優(yōu)點(diǎn),說(shuō)法錯(cuò)誤的是()。
實(shí)際檢測(cè)中,為了提高掃查速度而又不引起漏檢,常將檢測(cè)靈敏度適當(dāng)提高,這種在檢測(cè)靈敏度基礎(chǔ)上適當(dāng)提高后的靈敏度叫做()。