A、27mm
B、21mm
C、38mm
D、以上都不對
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A、5.6°
B、3.5°
C、6.8°
D、24.6°
A、2.5MHZ
B、5MHZ
C、4MHZ
D、2MHZ
A.頻率增加,晶片直徑減小而減小
B.頻率或晶片直徑減小而增大
C.頻率或晶片直徑減小而減小
D.頻率增加,晶片直徑減小而增大
A、橫波衰減比縱波嚴(yán)重
B、衰減系數(shù)一般隨材料的溫度上升而增大
C、當(dāng)晶粒度大于波長1/10時(shí)對探傷有顯著影響
D、提高增益可完全克服衰減對探傷的影響
A、擴(kuò)散衰減
B、散射衰減
C、吸收衰減
D、以上都是
最新試題
利用底波計(jì)算法校準(zhǔn)靈敏度時(shí),下面敘述中()是錯(cuò)誤的。
()主要用于表面光滑工件的表面和近表面缺陷檢測。
在對缺陷進(jìn)行定量前,必須先調(diào)節(jié)()。
超聲檢測系統(tǒng)的靈敏度余量()。
()可以對管路、管道進(jìn)行長距離檢測。
儀器水平線性影響()。
實(shí)際檢測中,為了提高掃查速度而又不引起漏檢,常將檢測靈敏度適當(dāng)提高,這種在檢測靈敏度基礎(chǔ)上適當(dāng)提高后的靈敏度叫做()。
當(dāng)調(diào)節(jié)檢測靈敏度用的試塊與工件()、曲率半徑不同或材質(zhì)衰減不同時(shí),需要進(jìn)行傳輸修正。
當(dāng)縱波直探頭置于細(xì)長工件上時(shí),在底波之后出現(xiàn)一系列的波,這種波是()。
探頭延檢測面水平移動,超聲檢測系統(tǒng)區(qū)分兩個(gè)相鄰缺陷的能量稱為()。