A、2.5MHZ
B、5MHZ
C、4MHZ
D、2MHZ
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A.頻率增加,晶片直徑減小而減小
B.頻率或晶片直徑減小而增大
C.頻率或晶片直徑減小而減小
D.頻率增加,晶片直徑減小而增大
A、橫波衰減比縱波嚴(yán)重
B、衰減系數(shù)一般隨材料的溫度上升而增大
C、當(dāng)晶粒度大于波長1/10時(shí)對探傷有顯著影響
D、提高增益可完全克服衰減對探傷的影響
A、擴(kuò)散衰減
B、散射衰減
C、吸收衰減
D、以上都是
A、按振動(dòng)方向分,板波可分為SH波和蘭姆波,探傷常用的是蘭姆波
B、板波聲速不僅與介質(zhì)特性有關(guān),而且與板厚、頻率有關(guān)
C、板波聲速包括相速度和群速度兩個(gè)參數(shù)
D、實(shí)際探傷應(yīng)用時(shí),只考慮相速度,無須考慮群速度
A.增大
B.不變
C.減少
D.以上都不對
最新試題
實(shí)際檢測中,為了提高掃查速度而又不引起漏檢,常將檢測靈敏度適當(dāng)提高,這種在檢測靈敏度基礎(chǔ)上適當(dāng)提高后的靈敏度叫做()。
當(dāng)縱波直探頭置于細(xì)長工件上時(shí),在底波之后出現(xiàn)一系列的波,這種波是()。
用折射角β的斜探頭進(jìn)行檢測,儀器顯示缺陷的聲程為S,則缺陷的水平距離l為()。
超聲檢測對缺陷定位時(shí),()不是影響缺陷定位的主要因素。
調(diào)節(jié)時(shí)基線時(shí),應(yīng)使()同時(shí)對準(zhǔn)相應(yīng)的聲程位置。
縱波直探頭徑向檢測實(shí)心圓柱時(shí),在第一次底波之后,還有2個(gè)特定位置的反射波,這種波是()。
()是影響缺陷定量的因素。
底波高度法不用試塊,可以直接利用底波調(diào)節(jié)靈敏度和比較缺陷的相對大小,操作方便,適用于()的工件。
超聲波儀時(shí)基線的水平刻度與實(shí)際聲程成正比的程度,即()。
利用底波計(jì)算法進(jìn)行靈敏度校準(zhǔn)時(shí),適用的工件厚度為()。