A.頻率增加，晶片直徑減小而減小
B.頻率或晶片直徑減小而增大
C.頻率或晶片直徑減小而減小
D.頻率增加，晶片直徑減小而增大
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
A、橫波衰減比縱波嚴(yán)重
B、衰減系數(shù)一般隨材料的溫度上升而增大
C、當(dāng)晶粒度大于波長1/10時(shí)對探傷有顯著影響
D、提高增益可完全克服衰減對探傷的影響
A、擴(kuò)散衰減
B、散射衰減
C、吸收衰減
D、以上都是
A、按振動(dòng)方向分，板波可分為SH波和蘭姆波，探傷常用的是蘭姆波
B、板波聲速不僅與介質(zhì)特性有關(guān)，而且與板厚、頻率有關(guān)
C、板波聲速包括相速度和群速度兩個(gè)參數(shù)
D、實(shí)際探傷應(yīng)用時(shí)，只考慮相速度，無須考慮群速度
A.增大
B.不變
C.減少
D.以上都不對
A、C1>C2
B、C1
D、Z1=Z2
最新試題
（）是指在確定的聲程范圍內(nèi)檢測出規(guī)定大小缺陷的能力，一般根據(jù)產(chǎn)品技術(shù)要求或有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)來確定。
（）可以檢測出與探測面垂直的橫向缺陷。
（）主要用于表面光滑工件的表面和近表面缺陷檢測。
檢測靈敏度太高和太低對檢測都不利。靈敏度太低，（）。
用折射角β的斜探頭進(jìn)行檢測，儀器顯示缺陷的聲程為S，則缺陷的水平距離l為（）。
移動(dòng)探頭找到缺陷最大回波，沿缺陷方向左右移動(dòng)探頭，缺陷回波高度降低一半時(shí)，探頭中心軸線所對應(yīng)的位置即為指示長度的端點(diǎn)，兩端點(diǎn)之間的直線長度即為缺陷指示長度。這種測長方法稱為（）。
（）是影響缺陷定量的因素。
缺陷的定量包括缺陷大小和數(shù)量的確定，而缺陷的大小可由缺陷的面積或（）來表征。
利用底波計(jì)算法校準(zhǔn)靈敏度時(shí)，下面敘述中（）是錯(cuò)誤的。
調(diào)節(jié)時(shí)基線時(shí)，應(yīng)使（）同時(shí)對準(zhǔn)相應(yīng)的聲程位置。