單項選擇題下列有關(guān)漏磁通的敘述，哪些是正確的（）

A、內(nèi)部缺陷處的漏磁通，比同樣大小的表面缺陷為大
B、缺陷的漏磁通通常同試件上的磁通密度成反比
C、表面缺陷的漏磁通密度，隨著離開表面距離的增加而急劇減弱
D、用有限線圈磁化長的試件，不需進行分段磁化


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1.單項選擇題下列關(guān)于缺陷形成漏磁通的敘述，正確的是（）

A．缺陷離試件表面越近，形成的漏磁通越小
B．在磁化狀態(tài)、缺陷類型和大小為一定時，其漏磁通密度受缺陷方向影響
C．交流磁化時，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化時的漏磁通要小
D．在磁場強度、缺陷類型和大小為一定時，其漏磁通密度受磁化方向影響；
E．除A以外都對

2.單項選擇題工件磁化后表面缺陷形成的漏磁場（）

A、與磁化電流的大小無關(guān)
B、與磁化電流的大小有關(guān)
C、當缺陷方向與磁化場方向之間的夾角為零時，漏磁場最大
D、與工件的材料性質(zhì)無關(guān)

3.單項選擇題下列關(guān)于漏磁場的敘述中，正確的是（）

A．缺陷方向與磁力線平行時，漏磁場最大
B．漏磁場的大小與工件的磁化程度無關(guān)
C．漏磁場的大小與缺陷的深度和寬度的比值有關(guān)
D．工件表層下，缺陷所產(chǎn)生的漏磁場，隨缺陷的埋藏深度增加而增大

4.單項選擇題下列有關(guān)缺陷所形成的漏磁通的敘述中哪個是正確的（）

A、它與試件上的磁通密度有關(guān)
B、它與缺陷的高度有關(guān)
C、磁化方向與缺陷垂直時漏磁通最大
D、以上都對

5.單項選擇題下列有關(guān)缺陷所形成的漏磁通的敘述（）是正確的

A、磁化強度為一定時，缺陷高度小于1mm的形狀相似的表面缺陷，其漏磁通與缺陷高度無關(guān)
B、缺陷離試件表面越近，缺陷漏磁通越小
C、在磁化狀態(tài)、缺陷種類和大小為一定時，缺陷漏磁通密度受缺陷方向影響
D、交流磁化時，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化時要小
E、當磁化強度、缺陷種類和大小為一定時，缺陷處的漏磁通密度受磁化方向的影響
F、c，d和e都對