高溫探頭的外殼與阻尼塊為不銹鋼，電纜為無機(jī)物絕緣體高溫同軸電纜。

缺陷垂直時(shí)，擴(kuò)散波束入射至缺陷時(shí)回波較高，而定位時(shí)就會(huì)誤認(rèn)為缺陷在軸線上，從而導(dǎo)致定位不準(zhǔn)。

由于圓柱形工件有一定的曲率，直探頭與工件直接接觸時(shí)，接觸面為一條很寬的條形區(qū)域，從在而在圓柱的橫截面內(nèi)會(huì)產(chǎn)生強(qiáng)烈的聲束擴(kuò)散。

超聲波在圓柱內(nèi)反射，如果縱波在圓柱面上發(fā)生波形轉(zhuǎn)換，且一次反射橫波再經(jīng)另一側(cè)圓柱面波形轉(zhuǎn)換成二反射縱波，返回探頭接收，會(huì)形成等邊的三角形遲到回波。

當(dāng)探頭的性能不佳時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)主聲束，發(fā)現(xiàn)缺陷時(shí)很難判斷是哪個(gè)主聲束發(fā)現(xiàn)的，因此也就難以確定缺陷的實(shí)際位置。

缺陷相對(duì)反射率即缺陷反射聲壓與基準(zhǔn)反射體聲壓之比。

對(duì)于橫波斜探頭而言，不同K值的探頭的靈敏度不同，因此探頭K值偏差也會(huì)影響缺陷的定量。

根據(jù)球形反射體返回晶片聲壓的計(jì)算公式與圓柱形平面反射體的表達(dá)式進(jìn)行比較可知，在反射體直徑相同的情況下，圓形反射體的反射聲壓比球形反射體的反射壓小。

為了減少側(cè)壁的影響，必要時(shí)可采用試塊比較法進(jìn)行定量，以便提高定量精度。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。