為了減少側(cè)壁的影響，必要時可采用試塊比較法進行定量，以便提高定量精度。

高溫探頭前面殼體與晶片之間采用特殊釬焊，使之形成高溫耦合層。

儀器時基線調(diào)節(jié)比例時，若回波前沿沒有對準相應垂直刻度或讀數(shù)不準，會使缺陷定位誤差增加。

在檢測晶粒粗大和大型工件時，應測定材料的衰減系數(shù)，計算時應考慮介質(zhì)衰減的影響。

動態(tài)范圍的最小信號可能受到放大器的飽合或系統(tǒng)噪聲的限制。

當探頭與被檢工件表面耦合狀態(tài)不同時，而又沒有進行適當?shù)难a償，會使定量誤差增加，精度下降。

當探頭的性能不佳時出現(xiàn)兩個主聲束，發(fā)現(xiàn)缺陷時很難判斷是哪個主聲束發(fā)現(xiàn)的，因此也就難以確定缺陷的實際位置。

缺陷垂直時，擴散波束入射至缺陷時回波較高，而定位時就會誤認為缺陷在軸線上，從而導致定位不準。

橫波檢測平板對接焊縫根部未焊透等缺陷時，不同K值探頭檢測同一根部缺陷，其回波高相差不大。

分辯率可使用通用探傷儀進行測量，測試時儀器抑制置“零”或“開”位，必要時可加匹配線圈。