A.多諧振蕩器
B.石英晶體振蕩器
C.施密特觸發(fā)器
D.555定時(shí)器
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A.10
B.60
C.525
D.31500
A.1
B.6
C.8
D.10
A.1
B.2
C.4
D.8
A.3
B.4
C.5
D.10
A.沒(méi)有觸發(fā)器
B.沒(méi)有統(tǒng)一的時(shí)鐘脈沖控制
C.沒(méi)有穩(wěn)定狀態(tài)
D.輸出只與內(nèi)部狀態(tài)有關(guān)
最新試題
用原碼輸出的譯碼器實(shí)現(xiàn)多輸出邏輯函數(shù),需要增加若干個(gè)()。
以下代碼中為無(wú)權(quán)碼的為()。
小容量RAM內(nèi)部存儲(chǔ)矩陣的字?jǐn)?shù)與外部地址線數(shù)n的關(guān)系一般為()
TTL與非門(mén)閾值電壓UT的典型值是()
一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器,其地址輸入(選擇控制輸入)端有()個(gè)。
ROM可以用來(lái)存儲(chǔ)程序、表格和大量固定數(shù)據(jù),但它不可以用來(lái)實(shí)現(xiàn)()。
兩個(gè)與非門(mén)構(gòu)成的基本RS觸發(fā)器,當(dāng)Q=1、Q=0時(shí),兩個(gè)輸入信號(hào)R=1和S=1。觸發(fā)器的輸出Q會(huì)()。
一個(gè)兩輸入端的門(mén)電路,當(dāng)輸入為10時(shí),輸出不是1的門(mén)電路為()
用1M×4的DRAM芯片通過(guò)()擴(kuò)展可以獲得4M×8的存儲(chǔ)器。
DRAM4164有2根片選線(RAS和CAS)、8根地址線和1根數(shù)據(jù)線。請(qǐng)判斷它的存儲(chǔ)容量為多少?