單項(xiàng)選擇題簡(jiǎn)述光生伏特效應(yīng)中正確的是（）
A、用能量小于禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)；
B、p、n區(qū)都產(chǎn)生電子—空穴對(duì)，產(chǎn)生平衡載流子；
C、平衡載流子破壞原來的熱平衡；
D、非平衡載流子在內(nèi)建電場(chǎng)作用下，n區(qū)空穴向p區(qū)擴(kuò)散，p區(qū)電子向n區(qū)擴(kuò)散；若p-n結(jié)開路，在結(jié)的兩邊積累電子—空穴對(duì)，產(chǎn)生開路電壓。
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1.單項(xiàng)選擇題單晶硅晶胞常數(shù)為0.543nm，則（111）的面間距是多少？（）
A、0.786nm
B、0.543nm
C、0.941nm
D、0.543nm
2.單項(xiàng)選擇題用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
A、低于
B、等于或大于
C、大于
3.單項(xiàng)選擇題半導(dǎo)體材料的電阻率與載流子濃度有關(guān)，同樣的摻雜濃度，載流子的遷移率越大，材料的電阻率（）
A、越高
B、不確定
C、越低
D、不變
4.單項(xiàng)選擇題屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
A、位錯(cuò)
B、螺旋位錯(cuò)
C、肖特基缺陷
D、層錯(cuò)
5.單項(xiàng)選擇題那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
A、分凝
B、蒸發(fā)
C、坩堝污染
D、損壞
最新試題
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
題型：多項(xiàng)選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列是晶體的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量（）禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題