A、試件厚度差
B、射線的質(zhì)
C、散射線
D、以上均不對(duì)
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A、前散射
B、背散射
C、側(cè)面散射
D、以上都不是
A、左移
B、右移
C、上移
D、下移
A、光電效應(yīng)
B、康普頓效應(yīng)
C、電子對(duì)生成效應(yīng)
D、電離效應(yīng)
A、射線源種類或管電壓有關(guān)
B、被檢材料種類和密度
C、X光管陽極靶原子序數(shù)有關(guān)
D、被檢材料的原子序數(shù)
A、光電效應(yīng)
B、康普頓效應(yīng)
C、湯姆遜效應(yīng)
D、電子對(duì)生成效應(yīng)
最新試題
對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置在()材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。
用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì),其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測(cè)量黑光。
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生()
對(duì)于接觸法只須將能使缺陷落在其遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū)內(nèi)的縱波直探頭在試件表面移動(dòng),即可獲得缺陷的()所在的位置,從而定出缺陷的平面位置。
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí),缺陷波高與缺陷面積成()
根據(jù)檢測(cè)對(duì)象和目的的不同,渦流檢測(cè)儀器一般可分為()、渦流電導(dǎo)儀和渦流測(cè)厚儀三種。
掃查方式一般視試件的()而定。
鑄件超聲檢測(cè)的特點(diǎn)是常采用低頻聲被以減輕衰減和散射,相應(yīng)的可檢缺陷尺寸()
隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了多種型號(hào)的同時(shí)具備探傷、電導(dǎo)率測(cè)量()測(cè)量功能的通用型儀器。