A、光電效應(yīng)
B、康普頓效應(yīng)
C、湯姆遜效應(yīng)
D、電子對(duì)生成效應(yīng)
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A、hvεj
B、hv.εj
C、hv》εj
D、hv.1.02Mev
A、數(shù)量
B、尺寸
C、能量
D、重量
A、特征X射線
B、示性X射線
C、熒光輻射
D、以上都對(duì)
A、本征X射線
B、示性X射線
C、標(biāo)識(shí)X射線
D、連續(xù)X射線
A、本征X射線
B、示性X射線
C、標(biāo)識(shí)X射線
D、以上都是
最新試題
()件對(duì)不同類型的檢測(cè)對(duì)象和要求,采用的方式各有不同。
直接射向缺陷的波就是()
缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的()
隨著渦流檢側(cè)儀器制造技術(shù)的發(fā)展,出現(xiàn)了多種型號(hào)的同時(shí)具備探傷、電導(dǎo)率測(cè)量()測(cè)量功能的通用型儀器。
特性是指實(shí)體所特有的性質(zhì),它反映子實(shí)體滿足需要的()
在聲束垂直試件表面時(shí),所獲得的()反射波高可能并不是可獲得的最大反射波高。
渦流檢測(cè)中的對(duì)比試樣的()和材質(zhì)相對(duì)被檢測(cè)產(chǎn)品必須具有代表性。
當(dāng)波束中心線與缺陷面()且回波最()時(shí),移動(dòng)探頭使波束中心(),回波高度當(dāng)隨之下降。
渦流檢測(cè)線圈是在被檢測(cè)導(dǎo)電材料或零件表面及近表面激勵(lì)產(chǎn)生()
根據(jù)檢測(cè)對(duì)象和目的的不同,渦流檢測(cè)儀器一般可分為()、渦流電導(dǎo)儀和渦流測(cè)厚儀三種。