單項(xiàng)選擇題下列()晶片發(fā)射縱波的近場(chǎng)區(qū)最長。

A、1MHzφ14mm
B、2.5MHzφ14mm
C、1MHzφ20mm
D、25MHzφ30mm


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1.單項(xiàng)選擇題以下()1MHz探頭通常具有最佳的時(shí)間或垂直距離的分辨力。

A、無背襯石英探頭
B、帶酚醛樹脂背襯的石英探頭
C、帶酚醛樹脂背襯的鈦酸鋇探頭
D、帶環(huán)氧樹脂背襯的硫酸鋰探頭

2.單項(xiàng)選擇題2.5PB20Z表示()。

A、頻率為2.5MHz
B、圓晶片直徑為20㎜
C、晶片材料為鈦酸鋇陶瓷
D、以上都對(duì)

3.單項(xiàng)選擇題A型掃描顯示探傷儀主要由()組成。

A、電源電路、同步電路
B、發(fā)射電路、時(shí)基掃描電路
C、接收電路、顯示電路
D、以上都是

4.單項(xiàng)選擇題焊縫探傷中探頭角度的選擇主要依據(jù)()。

A、探測(cè)頻率
B、缺陷方向
C、缺陷部位
D、鋼板的厚度

5.單項(xiàng)選擇題()g33較大可獲得較高的接收靈敏度。

A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、壓電應(yīng)變常數(shù)
C、壓電電壓常數(shù)
D、機(jī)械品質(zhì)因子

最新試題

渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置在()材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。

題型:單項(xiàng)選擇題

用于測(cè)量黑光強(qiáng)度的現(xiàn)代黑光輻射照度計(jì),其探頭(傳感器)的光敏組件的前面有(),只適用于測(cè)量黑光。

題型:單項(xiàng)選擇題

缺陷檢測(cè)即通常所說的渦流探傷主要影響因素包括()、電導(dǎo)率、磁導(dǎo)率、邊條效應(yīng)、提離效應(yīng)等。

題型:單項(xiàng)選擇題

渦流檢測(cè)線圈的自感式線圈由()構(gòu)成。

題型:單項(xiàng)選擇題

對(duì)檢測(cè)儀的時(shí)間基線進(jìn)行校正后,缺陷的埋藏深度可從熒光屏的()上讀出。

題型:單項(xiàng)選擇題

渦流探傷中平底盲孔缺陷對(duì)于管壁的()具有較好的代表性,因此在在役管材的渦流檢測(cè)中較多采用。

題型:單項(xiàng)選擇題

缺陷愈大,所遮擋的聲束也愈多,底波波高也就愈低,這就有可能用缺陷波高與底波波高之比來表示缺陷的()

題型:單項(xiàng)選擇題

波束截面中心聲能(),隨著與中心的距離的增大,聲能()

題型:單項(xiàng)選擇題

根據(jù)檢測(cè)對(duì)象和目的的不同,渦流檢測(cè)儀器一般可分為()、渦流電導(dǎo)儀和渦流測(cè)厚儀三種。

題型:單項(xiàng)選擇題

各類渦流檢測(cè)儀器的工作原理和()是相同的。

題型:單項(xiàng)選擇題