A、頻率為2.5MHz
B、圓晶片直徑為20㎜
C、晶片材料為鈦酸鋇陶瓷
D、以上都對(duì)
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你可能感興趣的試題
A、電源電路、同步電路
B、發(fā)射電路、時(shí)基掃描電路
C、接收電路、顯示電路
D、以上都是
A、探測(cè)頻率
B、缺陷方向
C、缺陷部位
D、鋼板的厚度
A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、壓電應(yīng)變常數(shù)
C、壓電電壓常數(shù)
D、機(jī)械品質(zhì)因子
A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、壓電應(yīng)變常數(shù)
C、機(jī)械品質(zhì)因子
D、壓電電壓常數(shù)
A、機(jī)電耦合系數(shù)
B、機(jī)械品質(zhì)因子
C、壓電應(yīng)變常數(shù)
D、壓電壓常數(shù)
最新試題
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置用于形狀規(guī)則產(chǎn)品的()
()件對(duì)不同類型的檢測(cè)對(duì)象和要求,采用的方式各有不同。
波束截面中心聲能(),隨著與中心的距離的增大,聲能()
渦流檢測(cè)線圈的互感線圈一般由()構(gòu)成。
當(dāng)缺陷面積大于聲束截面時(shí),如果聲束軸線移到缺陷邊緣,缺陷波高約為聲束軸線在缺陷中部時(shí)波高的()
掃查方式一般視試件的()而定。
渦流檢測(cè)輔助裝置的試樣傳動(dòng)裝置在()材生產(chǎn)線上的應(yīng)用最為廣泛。
直接射向缺陷的波就是()
在遠(yuǎn)場(chǎng)區(qū),當(dāng)缺陷比聲束截面小時(shí),缺陷波高與缺陷面積成()
渦流檢測(cè)線圈的自感式線圈由()構(gòu)成。