一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括（）

可用作硅片的研磨材料是（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）