CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

在通常情況下，GaN呈（）型結構。

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

下列是晶體的是（）。 

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數，它與（）。

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現象稱（）