對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學性質(zhì)發(fā)生變化。通過測量電學性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。  

PN結(jié)的基本特性是（）