載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流，漂移運動產(chǎn)生（）電流。

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質的種類和含量；②雜質的分凝效應；③雜質的蒸發(fā)效應；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污；⑤加入雜質量；

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

下列哪個不是單晶常用的晶向（）

下列是晶體的是（）。 

與半導體相比較，絕緣體的價帶電子激發(fā)到導帶所需的能量（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）