熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

在光線作用下，能使物體產生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

雜質半導體中的載流子輸運過程的散射機構中，當溫度升高時，電離雜質散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

對于大注入下的直接復合，非平衡載流子的壽命不再是個常數(shù)，它與（）。