填空題砌筑小砌塊墻體時(shí),小砌塊應(yīng)()、()錯(cuò)縫搭砌。
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如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央,則它對(duì)電子的俘獲率()空穴的俘獲率。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
最有效的復(fù)合中心能級(jí)位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級(jí)位置在()附近,常見(jiàn)的是少子陷阱。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會(huì)產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
在通常情況下,GaN呈()型結(jié)構(gòu)。
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是()
題型:?jiǎn)雾?xiàng)選擇題