可用作硅片的研磨材料是（）

多晶硅的生產方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重摻硅廢料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

如在半導體的禁帶中有一個深雜質能級位于禁帶中央，則它對電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。 

懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）

表面態(tài)中性能級位于費米能級以上時，該表面態(tài)為（）；

那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）