在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

可用作硅片的研磨材料是（）

硅片拋光在原理上不可分為（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）

一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。

在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動(dòng)勢的現(xiàn)象稱（）