A、上水平槽的尺寸為長(zhǎng)度250mm厚度240mm高度70mm、下水平槽的尺寸為長(zhǎng)度250mm厚度240mm高度大于或等于110mm
B、上、下水平槽應(yīng)對(duì)齊，普通磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為7皮磚
C、開槽時(shí)，在避免擾動(dòng)四周的砌體；槽間砌體的承壓面應(yīng)個(gè)平整
D、多孔磚砌體，槽間砌體高度應(yīng)為4皮磚
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A、C25混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
B、C15混凝土標(biāo)準(zhǔn)試塊抗壓
C、25HRB400鋼筋試?yán)?br />
D、M15水泥砂漿試塊試壓
A、3.0m
B、2.8m
C、3.6m
D、4.2m
A、門、窗洞口側(cè)邊
B、后補(bǔ)的施工洞口和經(jīng)修補(bǔ)的砌體
C、獨(dú)立磚間墻
D、磚墻上
A、開槽釋放應(yīng)力
B、砌體的應(yīng)力一應(yīng)變曲線
C、砌體原始主應(yīng)力值
D、彈性模量
E、回彈模量
A、主控項(xiàng)目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗(yàn)合格
B、一般項(xiàng)目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗(yàn)合格，當(dāng)采用計(jì)數(shù)檢驗(yàn)時(shí)，除有專門要求外，一般項(xiàng)目的合格點(diǎn)率應(yīng)達(dá)到80%及以上，且不得有嚴(yán)重缺陷
C、僅隱蔽工程驗(yàn)收記錄
D、具有完整的施工操作依據(jù)和質(zhì)量驗(yàn)收記錄
最新試題
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括（）
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過程有幾個(gè)主要階段？（）
下列哪一個(gè)遷移率的測(cè)量方法適合于低阻材料少子遷移率測(cè)量（）