A、門、窗洞口側(cè)邊
B、后補的施工洞口和經(jīng)修補的砌體
C、獨立磚間墻
D、磚墻上
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A、開槽釋放應(yīng)力
B、砌體的應(yīng)力一應(yīng)變曲線
C、砌體原始主應(yīng)力值
D、彈性模量
E、回彈模量
A、主控項目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗合格
B、一般項目的質(zhì)量經(jīng)抽樣檢驗合格,當(dāng)采用計數(shù)檢驗時,除有專門要求外,一般項目的合格點率應(yīng)達(dá)到80%及以上,且不得有嚴(yán)重缺陷
C、僅隱蔽工程驗收記錄
D、具有完整的施工操作依據(jù)和質(zhì)量驗收記錄
A、施工技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)
B、健全的質(zhì)量管理體系
C、施工質(zhì)量控制
D、質(zhì)量檢驗制度
A、槽間砌體每側(cè)的墻體寬度應(yīng)不小于1.5m。
B、同一墻體上測點數(shù)不宜多于1個,測點數(shù)量不宜太多。
C、限用于240mm磚墻。
D、扁頂法應(yīng)與其他砌筑砂漿強(qiáng)度檢測或砌體抗剪強(qiáng)度檢測一同使用。
A、組砌方式
B、灰縫砂漿飽滿度
C、灰縫寬度
D、截面尺寸
E、垂直度及裂縫
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
把磷化鎵在氮氣氛中退火,會有氮取代部分的磷,這會在磷化鎵中出現(xiàn)()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
下列是晶體的是()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()
用能量()禁帶寬度的光子照射p-n結(jié)會產(chǎn)生光生伏特效應(yīng)。
最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近;最有利陷阱作用的能級位置在()附近,常見的是少子陷阱。
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()