單項(xiàng)選擇題扁頂法不適用于測試墻體破壞荷載大于（）KN的墻體。
A.300
B.350
C.400
D.450
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1.單項(xiàng)選擇題原位軸壓法僅限用于（）厚的磚墻。
A.200mm
B.220mm
C.240mm
D.280mm
2.單項(xiàng)選擇題砌體工程的現(xiàn)場檢測方法，檢測砌體工作應(yīng)力、彈性模量可采用（）。
A.點(diǎn)荷法
B.回彈法
C.筒壓法
D.扁頂法
3.單項(xiàng)選擇題對(duì)既有建筑物或應(yīng)委托方要求僅對(duì)建筑物的部分或個(gè)別部位檢測時(shí)，一個(gè)檢測單元的測區(qū)數(shù)不宜少于（）個(gè)。
A.3個(gè)
B.4個(gè)
C.5個(gè)
D.6個(gè)
4.單項(xiàng)選擇題砂漿回彈法每一測區(qū)內(nèi)測點(diǎn)數(shù)不少于（）。
A.10
B.8
C.6
D.5
5.單項(xiàng)選擇題下列關(guān)于檢測單元、測區(qū)和測點(diǎn)的劃分錯(cuò)誤的是（）。
A.當(dāng)檢測對(duì)象為整棟建筑物時(shí)，可按樓層劃分檢測單元
B.當(dāng)檢測對(duì)象為整棟建筑物時(shí)，按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個(gè)結(jié)構(gòu)單元，劃分為若干個(gè)檢測單元
D.每一個(gè)檢測單元內(nèi)，不宜少于6個(gè)測區(qū)
最新試題
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
題型：單項(xiàng)選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
與半導(dǎo)體相比較，絕緣體的價(jià)帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量（）
題型：單項(xiàng)選擇題
載流子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生擴(kuò)散電流，漂移運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生（）電流。
題型：單項(xiàng)選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）
題型：單項(xiàng)選擇題
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項(xiàng)選擇題
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項(xiàng)選擇題
下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）
題型：單項(xiàng)選擇題