A.當(dāng)檢測(cè)對(duì)象為整棟建筑物時(shí)，可按樓層劃分檢測(cè)單元
B.當(dāng)檢測(cè)對(duì)象為整棟建筑物時(shí)，按整棟樓劃分
C.整棟建筑物每一個(gè)結(jié)構(gòu)單元，劃分為若干個(gè)檢測(cè)單元
D.每一個(gè)檢測(cè)單元內(nèi)，不宜少于6個(gè)測(cè)區(qū)
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A.5
B.6
C.8
D.10
A.在檢測(cè)完成后在收集工程建設(shè)時(shí)間
B.收集被檢工程的圖紙、施工驗(yàn)收資料
C.磚與砂漿的品種及有關(guān)原材料的測(cè)試資料
D.現(xiàn)場(chǎng)調(diào)查工程的結(jié)構(gòu)形式、環(huán)境條件
A.原位軸壓法
B.扁頂法
C.回彈法
D.原位單剪法和原位單磚雙剪法
A.0.25mm
B.0.5mm
C.0.1mm
D.1.0mm
A.12
B.10
C.8
D.16
最新試題
如在半導(dǎo)體的禁帶中有一個(gè)深雜質(zhì)能級(jí)位于禁帶中央，則它對(duì)電子的俘獲率（）空穴的俘獲率。
改良西門(mén)子法的顯著特點(diǎn)不包括（）
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs，光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的（）。
下列選項(xiàng)中，對(duì)從石英到單晶硅的工藝流程是（）
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門(mén)子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
PN結(jié)的基本特性是（）
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí)，該表面態(tài)為（）；
下列是晶體的是（）。
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長(zhǎng)過(guò)程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；