填空題金屬結晶時晶粒的大小主要決定于其()的長大速度,一般可通過增加過冷度法或變質處理來細化晶粒.
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影響單晶內雜質數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質的種類和含量;②雜質的分凝效應;③雜質的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內雜質的沾污;⑤加入雜質量;
題型:單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是()
題型:單項選擇題
光子傳感器是利用某些半導體材料在入射光的照下,產(chǎn)生().使材料的電學性質發(fā)生變化。通過測量電學性質的變化,可以知道紅外輻射的強弱。光子效應所制成的紅外探測器。
題型:單項選擇題
如果雜質既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質稱為()。
題型:單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質和一種受主雜質的均勻摻雜的非簡并半導體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時,半導體具有()半導體的導電特性。
題型:單項選擇題
可用作硅片的研磨材料是()
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熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
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硅片拋光在原理上不可分為()
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題型:單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
題型:單項選擇題